赤崎勇 氏(あかさきいさむ)

赤﨑 勇（あかさき いさむ、1929年〈昭和4年〉1月30日 - 2021年〈令和3年〉4月1日）は、日本の半導体工学者。
位階は従三位。
学位は工学博士（名古屋大学・1964年）。
名城大学大学院理工学研究科・特別栄誉終身教授、名城大学先端科学技術研究所所長、名古屋大学特別教授・名誉教授、名古屋大学赤﨑記念研究センターフェロー。
京都大学名誉博士。
日本学術会議栄誉会員、日本学士院会員。
恩賜賞、文化勲章、文化功労者受章。
『 高輝度青色発光ダイオードの発明 』で2014年度ノーベル物理学賞を受賞。
京都大学理学部卒業後、株式会社松下電器東京研究所基礎第4研究室長、松下技研株式会社半導体部長、名古屋大学工学部教授などを歴任した。
「赤﨑」の「﨑」は山偏に竒（いわゆる「たつさき」）であるが、JIS X 0208に収録されていない文字のため、赤崎 勇と表記されることも多い。
概要= 鹿児島県出身の半導体工学者。
未来の万能光源とされLEDにおける高輝度青色発光ダイオードの源となる窒化ガリウム (GaN)結晶化の研究が知られており、世界の名立たる大学、産業界、研究所の研究者達が挑戦しながらも物性制御が非常に困難とされ撤退せざる得なかった、窒化ガリウムを半導体研究ではそれまで用いることがほとんどなかったMOCVD装置を用いる事を決断し、ウェハー上にはサファイア基板を用い、AlNによる低温堆積バッファ層技術 によって1985年、不可能視されていたGaN窒化ガリウム完全 ……